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从OJIP快速叶绿素荧光诱导动力学曲线上直接获得的参数 | |
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Ft |
暗适应后照光t时间时的荧光强度 |
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F50μs 或F20μs |
用PEA在暗适应后照光50μs时或用Handy-PEA在暗适应后照光20μs时测定的荧光强度 |
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F100μs |
在暗适应后照光100μs时的荧光强度 |
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F300μs |
在暗适应后照光300μs时的荧光强度 |
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FJ≡F2ms |
在O-J-I-P荧光诱导曲线(图1B)J点处(2ms)的荧光强度 |
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FI≡F30ms |
在O-J-I-P荧光诱导曲线(图1B)I点处(30ms)的荧光强度 |
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FP |
在O-J-I-P荧光诱导曲线(图1B)的最大荧光处(P点)的荧光强度 |
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tFM |
从暗适应后照光到到达最大荧光所需时间 |
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Area |
O-J-I-P荧光诱导曲线(图1B)、荧光强度F=FM及y轴之间的面积 |
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从直接获得参数导出的其它参数 | |
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FO≌F50μs 或≌F20μs |
当所有反应中心完全开放时的荧光,即暗适应后的最小荧光强度 |
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FM= FP |
当所有反应中心完全关闭时的荧光,即暗适应后的最大荧光强度 |
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FV≡Ft - FO |
在t时的可变荧光强度 |
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Vt≡(Ft - FO)/( FM - FO) |
在t时的相对可变荧光强度 |
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VJ≡(FJ - FO)/( FM - FO) |
在J点的相对可变荧光强度 |
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MO≡4(F300μs- FO)/( FM- FO) |
O-J-I-P荧光诱导曲线(图1B)的初始斜率 |
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Sm≡(Area)/( FM- FO) |
标准化后的O-J-I-P荧光诱导曲线(图1B)、荧光强度F=FM及y轴之间的面积 |
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SS= VJ/MO |
用O-J相标准化的荧光上升互补面积 |
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N≡Sm/ SS= Sm•MO•(1/ VJ) |
从开始照光到到达FM的时间段内QA被还原的次数 |
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比活性参数(QA处在可还原态时,单位PSⅡ反应中心的活性) | |
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ABS/RC= MO•(1/ VJ)•(1/φPo) |
单位反应中心吸收的光能 |
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TRO/RC= MO•(1/ VJ) |
单位反应中心捕获的用于还原QA的能量(在t=0时) |
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ETO/RC= MO•(1/ VJ)•ψO |
单位反应中心捕获的用于电子传递的能量(在t=0时) |
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DIO/RC= (ABS/RC)- (TRO/RC) |
单位反应中心耗散掉的能量(在t=0时) |
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量子产额或能量分配比率 | |
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φPo≡TRO/ABS= [ 1-(FO/FM)] |
最大光化学效率(在t=0时) |
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ψO≡ETO/TRO= (1-VJ) |
反应中心捕获的激子中用来推动电子传递到电子传递链中超过QA的其它电子受体的激子占用来推动QA还原激子的比率(在t=0时) |
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φEo≡ETO/ABS= [1-(FO/FM)]•ψO |
用于电子传递的量子产额(在t=0时) |
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φDo≡1-φPo = (FO/FM) |
用于热耗散的量子比率(在t=0时) |
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比活性参数(照光材料单位横截面积的活性) | |
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ABS/CSO≈FO |
单位面积吸收的光能(在t=0时) |
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ABS/CSM≈FM |
单位面积吸收的光能(在t=tFM时) |
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TRO/CSO= φPo•(ABS/CSO)
TRO/CSM= φPo•(ABS/CSM) |
单位面积捕获的光能(在t=0时)
单位面积捕获的光能(在t=tFM时) |
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ETO/CSO= φEo•(ABS/CSO)
ETO/CSM= φEo•(ABS/CSM) |
单位面积电子传递的量子产额(在t=0时)
单位面积电子传递的量子产额(在t=tFM时) |
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DIO/CSO= (ABS/CSO) - (TRO/CSO)
DIO/CSM= (ABS/CSM) - (TRO/CSM) |
单位面积的热耗散(在t=0时)
单位面积的热耗散(在t=tFM时) |
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反应中心的密度 | |
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RC/CSO= φPo•(VJ/MO)•(ABS/CSO)
RC/CSM= φPo•(VJ/MO)•(ABS/CSM) |
单位面积内反应中心的数量(在t=0时)
单位面积内反应中心的数量(在t=tFM时) |
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性能指数 | |
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PIABS≡(RC/ABS)•[φPo/(1-φPo)]•[ψO/(1-ψO)] |
以吸收光能为基础的性能指数 |
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PICS≡(RC/CSO)•[φPo/(1-φPo)]•[ψO/(1-ψO)]
PICS≡(RC/CSM)•[φPo/(1-φPo)]•[ψO/(1-ψO)] |
以单位面积为基础的性能指数(在t=0时)
以单位面积为基础的性能指数(在t=tFM时) |
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推动力(性能指数的对数) | |
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DFABS≡log(PIABS) |
以吸收光能为基础的推动力 |
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DFCS≡log(PICS) |
以单位材料面积为基础的推动力 |