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关于氦氖激光器与半导体激光器的对比
点击次数:6091 发布日期:2019-2-13  来源:本站 仅供参考,谢绝转载,否则责任自负
 
   波长越短测量精度越高。氦氖激光波长632.8纳米,显然优于半导体激光635纳米和650纳米。
   氦氖激光线宽窄稳定性高在诸多激光器中是首屈一指的,这已经是光学界的共识。
   半导体激光器的线宽在各种激光器中是最宽的,可以达到几十至几百cm-1,也就是说半导体激光器的单色性是最差的。
从激光原理看,激光发光与跃迁能级差有关,发光的波长与能级差的关系可以描述为  ΔΕ=hν=hс/λ  式中h为普朗克常数,ν为波数,c为光速,λ为波长,ΔΕ=E2-E1 是上下能级之差。
   氦氖激光受激发射是在原子的能级之间跃迁是一个定值,因此波长λ也是一定的。
   但是,半导体激光是电子在能带之间跃迁,能带本身有一个宽度,设电子低能态的能量为E1—E1+ΔE1之间,电子高能态E2—E2+ΔE2之间,跃迁能量ΔΕ最大值为E2-E1+ΔE2跃迁能量最小值 E2-E1-ΔE1。在此能量范围之内,发出的光波长当然也是不确定的。因此,半导体激光发出的波长是在一个范围之内的多种波长的光的集合。
   半导体激光除了波长长,线宽宽,单色性差以外还有温度稳定性差的突出缺点,所以很少用于计量与测试。它的优点是工作电压低、体积小、转换效率高。因此可以广泛用于对单色性要求不高的工业与民用场合。
来源:济南微纳科技有限公司
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